Neue Technologie bei Intel:Mehr Speicherplatz, noch flachere Geräte
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Notebooks, flach wie Pfannkuchen, Handys oder USB-Sticks mit so viel Speicherplatz wie früher ganze Rechenzentren - möglich gemacht hat das die Flash-Technologie. Nun haben die Hersteller Intel und Micron noch einen drauf gesetzt und eine neue 3-D-Fertigungstechnik vorgestellt. Auf einer Festplatte im 2,5-Zoll-Standardformat lassen sich damit satte zehn Terabyte speichern, auf Speicherkarten wie sie etwa im neuen Macbook stecken, passen immer noch 3,5 Terabyte. Die Hersteller von Mobilgeräten können schon mal überlegen, was sie mit dem gewonnenen Platz anfangen wollen.
"Wir haben aus dem Flachbau ein Hochhaus gemacht", sagte Bill Leszinske von Intel bei der Vorstellung der neuen Speicherbausteine. Nicht nur ist die Speicherdichte der gestapelten Transistoren dreimal höher als bei der herkömmlichen Herstellungstechnik, sie ist auch kostengünstiger, außerdem sollen die Speicherzellen länger halten.
Anders als bei Festplatten oder Bändern werden bei der Flash-Technologie die Informationen nicht magnetisch gespeichert, sondern in Form von elektrischen Ladungen in Transistoren. Doch die Ingenieure liefen auf eine Mauer zu: Weil die Zellen immer kleiner gefertigt wurden, konnten sie auch immer weniger Elektronen aufnehmen. "Das hätte sich schon bald auf die Leistung und die Verlässlichkeit durchgeschlagen", erläutert Giri Giridhar von Intel. Mit der neuen Technik kann die Größe der Zellen erst einmal beibehalten werden.
Neue Geräte schon zum Weihnachtsgeschäft?
32 Ebenen werden bei der neuen Fertigungstechnik übereinander geschichtet. Produziert wird zunächst nur in einer Fabrik in Singapur, die bereits entsprechend umgerüstet wurde. Intel und Micron, die bei der Flash-Technologie kooperieren, wollen aber investieren und weitere Fabriken fitmachen für die 3-D-Technik. Auch andere Hersteller fertigen bereits mit 3-D-Technologien, Intel und Micron haben mit ihrer allerdings die bisher höchste Speicherdichte erreicht.
In der zweiten Jahreshälfte soll die Massenproduktion der Speicherbausteine beginnen, die dann von den Produktherstellern für ihre neuen Geräte verwendet werden können. Möglicherweise schon zum Weihnachtsgeschäft könnten also Geräte auf den Markt kommen, die von der neuen Technik profitieren - indem sie mehr Speicherplatz bieten oder noch flacher gebaut werden können.
Intel und Micron belegen zusammen nach Umsatz wie nach Marktanteil den dritten Platz der Hersteller von Flash-Bausteinen, wie sie in Notebooks oder Handys verwendet werden. Marktführer ist der südkoreanische Samsung-Konzern vor Toshiba (Japan).
Auch andere Hersteller arbeiten an neuen Speichertechnologien, die in Zukunft noch wesentlich höhere Speicherdichten ermöglichen könnten. HP arbeitet beispielsweise an einer Technik, die elektrischen Widerständen sozusagen ein Gedächtnis beibringen soll, sogenannten Memristoren. Weil sich das Ganze auf atomarer Ebene abspielt, wären solche Speicherbausteine noch um Größenordnungen kleiner und sparsamer. Bisher funktioniert die Technik aber erst im Labor.